Natisni stran
PSMN1R4-40YLDX
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, SOT-669, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecNEXPERIA
Proizvajalčeva št. delaPSMN1R4-40YLDX
Številka naročila2449091
tehnični podatkovni list
7955 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,970 |
| 10+ | € 1,440 |
| 100+ | € 1,130 |
| 500+ | € 0,897 |
| 1000+ | € 0,824 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,97 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecNEXPERIA
Proizvajalčeva št. delaPSMN1R4-40YLDX
Številka naročila2449091
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.00112ohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation238W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The PSMN1R4-40YLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET using advanced TrenchMOS® Superjunction technology. It is designed and qualified for high performance power switching applications.
- NextPower-S3 technology delivers superfast switching with soft recovery
- Low QRR, QG and QGD for high system efficiency and low EMI designs
- Schottky-plus body-diode, gives soft switching without the associated high IDSS leakage
- Optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower-S3 Superjunction technology
- High reliability LFPAK package, copper-clip, solder die attach and qualified to 175°C
- Exposed leads can be wave soldered, visual solder joint inspection and high quality solder joints
- Low parasitic inductance and resistance
- -55 to 175°C Junction temperature range
Področja uporabe
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Medical
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
238W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.00112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za PSMN1R4-40YLDX
Št. najdenih izdelkov 8
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaThailand
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaThailand
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00001
Sledenje izdelku