Natisni stran
PMCXB900UELZ
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecNEXPERIA
Proizvajalčeva št. delaPMCXB900UELZ
Številka naročila2673083RL
Nabor izdelkovTrench Series
tehnični podatkovni list
11.010 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 50+ | € 0,312 |
| 250+ | € 0,196 |
| 1000+ | € 0,118 |
| 3000+ | € 0,112 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 5
€ 36,20 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecNEXPERIA
Proizvajalčeva št. delaPMCXB900UELZ
Številka naročila2673083RL
Nabor izdelkovTrench Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel600mA
Continuous Drain Current Id P Channel600mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.47ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.47ohm
Transistor Case StyleDFN1010B
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel380mW
Power Dissipation P Channel380mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
600mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.47ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
380mW
Product Range
Trench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
600mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.47ohm
Transistor Case Style
DFN1010B
Power Dissipation N Channel
380mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00007
Sledenje izdelku