Natisni stran
GANB4R8-040CBAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecNEXPERIA
Proizvajalčeva št. delaGANB4R8-040CBAZ
Številka naročila4414365RL
tehnični podatkovni list
4.962 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 1,320 |
| 500+ | € 1,110 |
| 1000+ | € 1,050 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 137,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecNEXPERIA
Proizvajalčeva št. delaGANB4R8-040CBAZ
Številka naročila4414365RL
tehnični podatkovni list
Continuous Drain Current Id20A
Typical Gate Charge15.8nC
No. of Pins22Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Continuous Drain Current Id
20A
No. of Pins
22Pins
Typical Gate Charge
15.8nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku