Natisni stran
BUK762R6-60E,118
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.00197 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecNEXPERIA
Proizvajalčeva št. delaBUK762R6-60E,118
Številka naročila2254197
tehnični podatkovni list
4262 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 2,520 |
| 10+ | € 2,180 |
| 100+ | € 1,820 |
| 500+ | € 1,520 |
| 1000+ | € 1,490 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 2,52 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecNEXPERIA
Proizvajalčeva št. delaBUK762R6-60E,118
Številka naročila2254197
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.00197ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation324W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The BUK762R6-60E is a N-channel standard level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
- Repetitive avalanche rated
- Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
- True standard level gate with VGS (th) rating of greater than 1V at 175°C
- -55 to 175°C Junction temperature range
Področja uporabe
Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Lighting, Automation & Process Control, Industrial
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
324W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.00197ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (1)
Alternative za BUK762R6-60E,118
Št. najdenih izdelkov 8
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002381
Sledenje izdelku