Natisni stran
2N7002F
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 475 mA, 0.78 ohm, SOT-23, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecNEXPERIA
Proizvajalčeva št. dela2N7002F
Številka naročila1894722
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id475mA
Drain Source On State Resistance0.78ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Alternative za 2N7002F
Št. najdenih izdelkov 3
Pregled izdelka
The 2N7002F is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
- Very Fast Switching
- Logic Level Threshold Compatible
Področja uporabe
Audio, Signal Processing, Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Industrial
Tehnični podatki
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.78ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
475mA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000008