Natisni stran
2N7002
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecMULTICOMP PRO
Proizvajalčeva št. dela2N7002
Številka naročila4295174
Nabor izdelkovMulticomp Pro N Channel MOSFETs
tehnični podatkovni list
20.073 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 5+ | € 0,110 |
| 10+ | € 0,088 |
| 100+ | € 0,063 |
| 500+ | € 0,044 |
| 1000+ | € 0,031 |
| 5000+ | € 0,027 |
Cena za:Each
Najmanj: 5
Več: 5
€ 0,55 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecMULTICOMP PRO
Proizvajalčeva št. dela2N7002
Številka naročila4295174
Nabor izdelkovMulticomp Pro N Channel MOSFETs
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Pregled izdelka
These N-channel enhancement mode field-effect transistors are manufactured with high cell density DMOS technology. They are designed to minimize on-state resistance while delivering rugged, reliable, and fast switching performance. These transistors are especially well-suited for low-voltage, low-current applications, including small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
- High Density Cell Design for Low RDS(on)
- Voltage Controlled Small Signal Switch
- Rugged and Reliable
- High Saturation Current Capability
- ESD Protection Level: HBM <gt/> 100 V, CDM <gt/> 2 kV
- This Device is Pb−Free and Halogen Free
Področja uporabe
Portable Devices, Power Supplies, DC/DC Converters, Wireless Charging
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Multicomp Pro N Channel MOSFETs
MSL
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000009
Sledenje izdelku