Natisni stran
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecMICRON
Proizvajalčeva št. delaMT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
Številka naročila3954466
tehnični podatkovni list
1262 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 17,170 |
| 10+ | € 15,910 |
| 25+ | € 15,410 |
| 50+ | € 13,830 |
| 100+ | € 13,240 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 17,17 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecMICRON
Proizvajalčeva št. delaMT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
Številka naročila3954466
tehnični podatkovni list
DRAM TypeLPDDR4
Memory Density16Gbit
Memory Configuration512M x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Pregled izdelka
MT53E512M32D1 is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable VSS (ODT) termination
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 512 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 1 die addressing
- 200-ball TFBGA (Ø0.40 SMD) package, 468ps cycle time
- Operating temperature rating range from -40°C to +105°C
Tehnični podatki
DRAM Type
LPDDR4
Memory Configuration
512M x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
16Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaTaiwan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaTaiwan
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001