Natisni stran
IXTN110N20L2
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXTN110N20L2
Številka naročila3930140
tehnični podatkovni list
285 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 38,870 |
| 5+ | € 34,980 |
| 10+ | € 29,060 |
| 50+ | € 28,480 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 38,87 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXTN110N20L2
Številka naročila3930140
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds200V
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd735W
Power Dissipation735W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Pregled izdelka
N-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated suitable for use in programmable loads, current regulators, DC-DC converters, battery chargers, DC choppers, temperature and lighting controls applications.
- Linear L2™ power MOSFET w/extended FBSOA
- Designed for linear operation
- Guaranteed FBSOA at 75°C
- Moulding epoxy meets UL94 V-0 flammability classification
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Tehnični podatki
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
735W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
735W
Product Range
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku