Natisni stran
IXTH1N250
Power MOSFET, N Channel, 2.5 kV, 1.5 A, 40 ohm, TO-247, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXTH1N250
Številka naročila3930339
tehnični podatkovni list
283 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 40,280 |
| 5+ | € 36,520 |
| 10+ | € 32,370 |
| 50+ | € 30,430 |
| 100+ | € 28,430 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 40,28 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXTH1N250
Številka naročila3930339
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds2.5kV
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source On State Resistance40ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Pregled izdelka
N-channel enhancement mode fast intrinsic diode suitable for use in high voltage power supplies, capacitor discharge applications, pulse circuit applications.
- High voltage power MOSFET
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
2.5kV
Drain Source On State Resistance
40ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku