Natisni stran
IXFN38N100P
MOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFN38N100P
Številka naročila3930411
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 40
Obvestite me, ko bo izdelek spet na zalogi.
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 45,940 |
| 5+ | € 40,320 |
| 10+ | € 34,700 |
| 50+ | € 32,620 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 45,94 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFN38N100P
Številka naročila3930411
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds1kV
Drain Source On State Resistance0.21ohm
On Resistance Rds(on)0.21ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation1kW
Power Dissipation Pd1kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Pregled izdelka
N-channel enhancement mode fast intrinsic rectifier suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor control, high speed power switching application.
- Polar™ HiperFET™ power MOSFET
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low package inductance
- Low RDS(on) and QG
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Tehnični podatki
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.21ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
0.21ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Power Dissipation Pd
1kW
Product Range
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku