Natisni stran
IXFN230N20T
MOSFET Transistor, N Channel, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFN230N20T
Številka naročila3930243
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Obvestite me, ko bo izdelek spet na zalogi.
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 31,920 |
| 5+ | € 30,260 |
| 10+ | € 28,600 |
| 50+ | € 26,940 |
| 100+ | € 25,280 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 31,92 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFN230N20T
Številka naročila3930243
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id220A
Drain Source Voltage Vds200V
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.09kW
Power Dissipation Pd1.09kW
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Pregled izdelka
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- GigaMOS™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Tehnični podatki
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
220A
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.09kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.09kW
Product Range
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku