Natisni stran
IXFN210N30X3
MOSFET Transistor, N Channel, 210 A, 300 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4.5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFN210N30X3
Številka naročila3930190
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Obvestite me, ko bo izdelek spet na zalogi.
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 39,160 |
| 5+ | € 36,780 |
| 10+ | € 34,410 |
| 50+ | € 32,030 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 39,16 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFN210N30X3
Številka naročila3930190
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source Voltage Vds300V
Drain Source On State Resistance0.0038ohm
On Resistance Rds(on)0.0038ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation695W
Power Dissipation Pd695W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Pregled izdelka
N-channel enhancement mode avalanche rated fast X3-Class HiPerFET™ power MOSFET. It Is suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, robotics and servo controls applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Tehnični podatki
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Drain Source On State Resistance
0.0038ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
695W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
On Resistance Rds(on)
0.0038ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
695W
Product Range
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku