Natisni stran
IXFN210N30P3
MOSFET Transistor, N Channel, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFN210N30P3
Številka naročila3930486
tehnični podatkovni list
200 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
na voljo do odprodaje zalog
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 42,600 |
| 5+ | € 40,470 |
| 10+ | € 34,300 |
| 50+ | € 30,110 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 42,60 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFN210N30P3
Številka naročila3930486
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id192A
Drain Source Voltage Vds300V
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
On Resistance Rds(on)0.0145ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.5kW
Power Dissipation Pd1.5kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Pregled izdelka
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic rectifier. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Dynamic dv/dt rating
- Low RDS(on)
- Low drain-to-tab capacitance
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
Tehnični podatki
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
192A
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
On Resistance Rds(on)
0.0145ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.5kW
Product Range
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku