Natisni stran
IXFN120N65X2
MOSFET, MODULE, N-CH, 650V, 108A
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFN120N65X2
Številka naročila3949051
Nabor izdelkovHiPerFET X2 Series
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 39
Strošek dostave: enkraten znesek € 25,00 na naročilo. Število delovnih dni za dostavo izdelkov na zalogi: 3
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 46,210 |
| 5+ | € 43,620 |
| 10+ | € 41,050 |
| 25+ | € 38,470 |
| 100+ | € 35,900 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 46,21 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFN120N65X2
Številka naročila3949051
Nabor izdelkovHiPerFET X2 Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id108A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation890W
Power Dissipation Pd890W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET X2 Series
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
108A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
890W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
890W
Product Range
HiPerFET X2 Series
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.039917
Sledenje izdelku