Natisni stran
IXTN60N50L2
MOSFET Transistor, LINEAR L2™, N Channel, 53 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 2.5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXTN60N50L2
Številka naročila1829753
tehnični podatkovni list
Ni več na zalogi
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXTN60N50L2
Številka naročila1829753
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id53A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-227
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation735W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Pregled izdelka
The IXTN60N50L2 is a LinearL2™ single N-channel enhancement-mode linear Power MOSFET with extended FBSOA. It is suitable for programmable loads, current regulators, battery chargers and DC choppers. It is designed for linear operation.
- International standard packages
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Easy to mount
- Space saving
- High power density
- UL94V-0 Flammability rating
Področja uporabe
Power Management, Lighting
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
735W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Continuous Drain Current Id
53A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Case Style
SOT-227
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Tehnični dokumenti (2)
Povezani izdelki
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.03
Sledenje izdelku