Natisni stran
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXTN36N50
Številka naročila9359214
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXTN36N50
Številka naročila9359214
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation400W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Pregled izdelka
The IXTN36N50 is a MegaMOS™FRED N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers rugged polysilicon gate cell structure and low RDS (ON) HDMOS™ process. It is uninterruptible power systems (UPS), DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard package miniBLOC (ISOTOP compatible)
- Low drain-to-case capacitance (<lt/>50pF)
- Low package inductance (<lt/>10nH) - Easy to drive and to protect
- Easy to mount with 2 screws
- Space saving
- High power density
Področja uporabe
Motor Drive & Control, Robotics, Power Management
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaGermany
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaGermany
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.03984