Natisni stran
IXFN80N60P3
MOSFET Transistor, N Channel, 66 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN80N60P3
Številka naročila2782974
Nabor izdelkovPolar3 HiperFET
tehnični podatkovni list
Ni več na zalogi
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN80N60P3
Številka naročila2782974
Nabor izdelkovPolar3 HiperFET
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id66A
Drain Source Voltage Vds600V
Drain Source On State Resistance0.077ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-227B
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation960W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Product RangePolar3 HiperFET
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
960W
No. of Pins
4Pins
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
66A
Drain Source On State Resistance
0.077ohm
Transistor Case Style
SOT-227B
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
Polar3 HiperFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.03