Natisni stran
IXFN55N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 55 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 4.5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN55N50
Številka naročila4905647
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 44
| Količina | |
|---|---|
| 300+ | € 31,470 |
Cena za:Each
Najmanj: 300
Več: 300
€ 9.441,00 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN55N50
Številka naročila4905647
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleISOTOP
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
Product Range-
Pregled izdelka
The IXFN55N50 is a single N-channel Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
- UL94V-0 Flammability rating
Področja uporabe
Power Management, Lighting
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
600W
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.046
Sledenje izdelku