Natisni stran
IXFN39N90
MOSFET Transistor, N Channel, 39 A, 900 V, 0.22 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN39N90
Številka naročila4905581
tehnični podatkovni list
Ni več na zalogi
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN39N90
Številka naročila4905581
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation700W
Operating Temperature Max-
Product Range-
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
700W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000036