Natisni stran
IXFN34N80
MOSFET Transistor, N Channel, 34 A, 800 V, 0.24 ohm, 5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN34N80
Številka naročila4905600
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN34N80
Številka naročila4905600
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source Voltage Vds800V
Drain Source On State Resistance0.24ohm
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max-
Product Range-
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.24ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000036