Natisni stran
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN27N80Q
Številka naročila4905593
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN27N80Q
Številka naročila4905593
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source Voltage Vds800V
Drain Source On State Resistance0.32ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation520W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Pregled izdelka
The IXFN27N80Q is a Q-class HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Single Die Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
- High dV/dt and low trr
Področja uporabe
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
27A
Drain Source On State Resistance
0.32ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.04
Sledenje izdelku