Natisni stran
IXFN26N90
MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 900 V, 0.3 ohm, 10 V, 5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN26N90
Številka naročila4905570
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN26N90
Številka naročila4905570
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.044