Natisni stran
IXFN200N07
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 200 A, 70 V, 0.006 ohm, 10 V, 4 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN200N07
Številka naročila4905659
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN200N07
Številka naročila4905659
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds70V
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation520W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Pregled izdelka
The IXFN200N07 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, synchronous rectification, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
Področja uporabe
Power Management, Lighting
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
70V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.044