Natisni stran
IXFN180N25T
MOSFET Transistor, N Channel, 168 A, 250 V, 0.0129 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN180N25T
Številka naročila3438386
Nabor izdelkovGigaMOS
tehnični podatkovni list
Ni več na zalogi
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN180N25T
Številka naročila3438386
Nabor izdelkovGigaMOS
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id168A
Drain Source Voltage Vds250V
Drain Source On State Resistance0.0129ohm
On Resistance Rds(on)0.0129ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation900W
Power Dissipation Pd900W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeGigaMOS
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tehnični podatki
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
168A
Drain Source On State Resistance
0.0129ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
900W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.0129ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
900W
Product Range
GigaMOS
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.004