Natisni stran
IXFN180N20
MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 200 V, 0.01 ohm, 10 V, 4 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN180N20
Številka naročila4905684
tehnični podatkovni list
Ni več na zalogi
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN180N20
Številka naročila4905684
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation700W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Pregled izdelka
The IXFN180N20 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance and space saving. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers and AC choppers.
- International standard packages
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Avalanche rating
- Low package inductance
- Low Qg
- Easy to mount
Področja uporabe
Power Management, Lighting
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.046