Natisni stran
IXFN140N20P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN140N20P
Številka naročila1427319
tehnični podatkovni list
484 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 26,420 |
| 5+ | € 22,880 |
| 10+ | € 19,340 |
| 50+ | € 18,680 |
| 100+ | € 18,010 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 26,42 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN140N20P
Številka naročila1427319
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id140A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Pregled izdelka
The IXFN140N20P is a PolarHT™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- International standard packages
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- Easy to mount
- Space saving
Področja uporabe
Power Management
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
140A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za IXFN140N20P
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaGermany
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaGermany
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.311618
Sledenje izdelku