Natisni stran
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN132N50P3
Številka naročila2674760
Nabor izdelkovPolar3 HiPerFET
tehnični podatkovni list
Ni več na zalogi
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN132N50P3
Številka naročila2674760
Nabor izdelkovPolar3 HiPerFET
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id112A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.039ohm
On Resistance Rds(on)0.039ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.5kW
Power Dissipation Pd1.5kW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar3 HiPerFET
SVHCLead (17-Jan-2023)
Pregled izdelka
Področja uporabe
Medical
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
112A
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.039ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.5kW
Product Range
Polar3 HiPerFET
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.03