Natisni stran
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN102N30P
Številka naročila2674759
Nabor izdelkovPolarHV HiPerFET
tehnični podatkovni list
Ni več na zalogi
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXFN102N30P
Številka naročila2674759
Nabor izdelkovPolarHV HiPerFET
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id86A
Drain Source Voltage Vds300V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
On Resistance Rds(on)0.033ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd570W
Power Dissipation570W
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolarHV HiPerFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Pregled izdelka
Področja uporabe
Medical
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
86A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
570W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
On Resistance Rds(on)
0.033ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
570W
Product Range
PolarHV HiPerFET
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.03
Sledenje izdelku