Natisni stran
IRFP064NPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 98 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRFP064NPBF
Številka naročila8649227
Znano tudi kotSP001554926
tehnični podatkovni list
91.509 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 2,750 |
| 10+ | € 2,160 |
| 100+ | € 1,570 |
| 500+ | € 0,938 |
| 1000+ | € 0,919 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 2,75 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRFP064NPBF
Številka naročila8649227
Znano tudi kotSP001554926
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The IRFP064NPBF is utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistant per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (3)
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 3
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMexico
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMexico
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.007176