Natisni stran
IRFHM830TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.003 ohm, QFN, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRFHM830TRPBF
Številka naročila1857346
Znano tudi kotSP001566782
tehnični podatkovni list
3564 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
na voljo do odprodaje zalog
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 0,562 |
| 10+ | € 0,515 |
| 100+ | € 0,464 |
| 500+ | € 0,354 |
| 1000+ | € 0,331 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 0,56 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRFHM830TRPBF
Številka naročila1857346
Znano tudi kotSP001566782
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.003ohm
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternative za IRFHM830TRPBF
Št. najdenih izdelkov 5
Pregled izdelka
The IRFHM830TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers industry standard pin-out for multi-vendor compatibility. It is suitable for battery protection, point of load ControlFET, high side and low side load switch. It is compatible with existing surface-mount techniques.
- Low RDS (ON) (<lt/>3.8mΩ) results in low conduction losses
- Low thermal resistance to PCB (<lt/>3.4°C/W) enables better thermal dissipation
- 100% Rg tested for increased reliability
- Halogen-free
- Industrial qualification MSL-1 (increased reliability)
Področja uporabe
Motor Drive & Control, Power Management
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
QFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.003ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.009072