Natisni stran
IPP60R170CFD7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-220, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPP60R170CFD7XKSA1
Številka naročila2807979
Nabor izdelkovCoolMOS CFD7
Znano tudi kotIPP60R170CFD7, SP001617974
tehnični podatkovni list
2667 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 2,780 |
| 10+ | € 2,330 |
| 100+ | € 1,540 |
| 500+ | € 1,160 |
| 1000+ | € 1,050 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 2,78 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPP60R170CFD7XKSA1
Številka naročila2807979
Nabor izdelkovCoolMOS CFD7
Znano tudi kotIPP60R170CFD7, SP001617974
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.144ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
600V CoolMOS™ CFD7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in soft switching topologies optimized for phase-shift full bridge (ZVS), LLC applications server, telecom, EV Charging.
- Ultra-fast body diode
- Low gate charge
- Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
- Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness
- Excellent hard commutation ruggedness
- Highest reliability for resonant topologies
- Highest efficiency without standing ease-of-use/performance trade off
- Enabling increased power density solutions
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.144ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (1)
Alternative za IPP60R170CFD7XKSA1
Št. najdenih izdelkov 3
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001