Natisni stran
IPG20N10S4L35ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPG20N10S4L35ATMA1
Številka naročila4319091
Nabor izdelkovOptiMOS T2 Series
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 14
Obvestite me, ko bo izdelek spet na zalogi.
| Količina | |
|---|---|
| 5000+ | € 0,469 |
| 15000+ | € 0,460 |
Cena za:Each (Supplied on Full Reel)
Najmanj: 5000
Več: 5000
€ 2.345,00 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPG20N10S4L35ATMA1
Številka naročila4319091
Nabor izdelkovOptiMOS T2 Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.029ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.029ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel43W
Power Dissipation P Channel43W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.029ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
43W
Product Range
OptiMOS T2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.029ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000134
Sledenje izdelku