Natisni stran
IPD85P04P4L06ATMA1
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPD85P04P4L06ATMA1
Številka naročila4384138
Nabor izdelkovOptiMOS P2 Series
tehnični podatkovni list
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPD85P04P4L06ATMA1
Številka naročila4384138
Nabor izdelkovOptiMOS P2 Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id85A
Drain Source On State Resistance0.0053ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation88W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS P2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternative za IPD85P04P4L06ATMA1
1 najden izdelek
Tehnični podatki
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
85A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0053ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS P2 Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000402