Natisni stran
IPD60R3K3C6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPD60R3K3C6ATMA1
Številka naročila2726052RL
Nabor izdelkovCoolMOS C6
Znano tudi kotIPD60R3K3C6, SP001117718
tehnični podatkovni list
4441 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,337 |
| 500+ | € 0,298 |
| 1000+ | € 0,259 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 38,70 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPD60R3K3C6ATMA1
Številka naročila2726052RL
Nabor izdelkovCoolMOS C6
Znano tudi kotIPD60R3K3C6, SP001117718
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance3.3ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation18.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C6
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
- 600V, 1.7A CoolMOS™ C6 power transistor in 3 pin TO-252 package
- Extremely low losses due to very low FOM (RDS(on)* Qi and Eoss)
- Easy control of switching behaviour improves power density
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use, better light load efficiency
- Better light load efficiency compared to C3
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- More efficient, more compact, lighter and cooler
- Better price performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
- Reduces possible ringing due to PCB layout and package parasitic effects
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
18.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
3.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (1)
Alternative za IPD60R3K3C6ATMA1
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00068
Sledenje izdelku