Natisni stran
IPD50N10S3L16ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPD50N10S3L16ATMA1
Številka naročila2443397
Znano tudi kotIPD50N10S3L-16, SP000386185
tehnični podatkovni list
2046 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
na voljo do odprodaje zalog
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 2,000 |
| 10+ | € 1,430 |
| 100+ | € 1,090 |
| 500+ | € 0,922 |
| 1000+ | € 0,844 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 2,00 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPD50N10S3L16ATMA1
Številka naročila2443397
Znano tudi kotIPD50N10S3L-16, SP000386185
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0125ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternative za IPD50N10S3L16ATMA1
Št. najdenih izdelkov 2
Pregled izdelka
The IPD50N10S3L-16 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Robust packages with superior quality and reliability
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
Področja uporabe
Power Management, Lighting, Automotive
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (4)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0003