Natisni stran
IPD50N06S214ATMA2
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPD50N06S214ATMA2
Številka naročila4149700
Nabor izdelkovOptiMOS Series
Znano tudi kotSP001063624
tehnični podatkovni list
4249 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,820 |
| 10+ | € 1,280 |
| 100+ | € 0,865 |
| 500+ | € 0,635 |
| 1000+ | € 0,583 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,82 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPD50N06S214ATMA2
Številka naročila4149700
Nabor izdelkovOptiMOS Series
Znano tudi kotSP001063624
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0108ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.0108ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku