Natisni stran
IPD30N06S4L23ATMA2
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 30 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPD30N06S4L23ATMA2
Številka naročila2839460RL
Nabor izdelkovOptiMOS T2
Znano tudi kotIPD30N06S4L-23, SP001028638
tehnični podatkovni list
10.213 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,416 |
| 500+ | € 0,395 |
| 1000+ | € 0,383 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 46,60 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPD30N06S4L23ATMA2
Številka naročila2839460RL
Nabor izdelkovOptiMOS T2
Znano tudi kotIPD30N06S4L-23, SP001028638
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
- Optima's® -T2 power transistor
- N-channel, enhancement mode
- Automotive grade AEC Q101 qualified
- 100% avalanche tested
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T2
MSL
-
Tehnični dokumenti (1)
Alternative za IPD30N06S4L23ATMA2
Št. najdenih izdelkov 7
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000477
Sledenje izdelku