Natisni stran
IPB80P03P4L07ATMA2
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 80 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPB80P03P4L07ATMA2
Številka naročila4319307
Nabor izdelkovOptiMOS-P2 Series
tehnični podatkovni list
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPB80P03P4L07ATMA2
Številka naročila4319307
Nabor izdelkovOptiMOS-P2 Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.0056ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation88W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternative za IPB80P03P4L07ATMA2
1 najden izdelek
Tehnični podatki
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0056ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001