Natisni stran
IMT65R050M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIMT65R050M2HXUMA1
Številka naročila4677114
Nabor izdelkovCoolSiC Gen 2 Series
Znano tudi kotIMT65R050M2H, SP006051127
tehnični podatkovni list
100 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 6,360 |
| 10+ | € 5,730 |
| 100+ | € 5,100 |
| 500+ | € 4,610 |
| 1000+ | € 4,250 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 6,36 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIMT65R050M2HXUMA1
Številka naročila4677114
Nabor izdelkovCoolSiC Gen 2 Series
Znano tudi kotIMT65R050M2H, SP006051127
tehnični podatkovni list
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id48.1A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation237W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
48.1A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
237W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku