Natisni stran
IMT65R039M1HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIMT65R039M1HXUMA1
Številka naročila4228383
Nabor izdelkovCoolSiC Trench Series
Znano tudi kotIMT65R039M1H, SP005716838
tehnični podatkovni list
1943 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 8,450 |
| 5+ | € 7,850 |
| 10+ | € 7,240 |
| 50+ | € 6,660 |
| 100+ | € 5,560 |
| 250+ | € 5,450 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 8,45 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIMT65R039M1HXUMA1
Številka naročila4228383
Nabor izdelkovCoolSiC Trench Series
Znano tudi kotIMT65R039M1H, SP005716838
tehnični podatkovni list
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation263W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
61A
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
263W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001
Sledenje izdelku