Natisni stran
IMBG65R050M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIMBG65R050M2HXTMA1
Številka naročila4378736RL
Nabor izdelkovCoolSiC Gen 2 Series
Znano tudi kotIMBG65R050M2H, SP005917208
tehnični podatkovni list
Možnosti pakiranja
788 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 10+ | € 4,920 |
| 50+ | € 4,890 |
| 100+ | € 3,750 |
| 250+ | € 3,680 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 10
Več: 1
€ 49,20 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIMBG65R050M2HXTMA1
Številka naročila4378736RL
Nabor izdelkovCoolSiC Gen 2 Series
Znano tudi kotIMBG65R050M2H, SP005917208
tehnični podatkovni list
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation172W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
41A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
172W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001
Sledenje izdelku