Natisni stran
IMBG120R140M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIMBG120R140M1HXTMA1
Številka naročila3582465
Nabor izdelkovCoolSiC Trench Series
Znano tudi kotIMBG120R140M1H, SP004463792
tehnični podatkovni list
17 Na Zalogi
1000 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 5,140 |
| 10+ | € 4,100 |
| 100+ | € 3,350 |
| 500+ | € 2,940 |
| 1000+ | € 2,930 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 5,14 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIMBG120R140M1HXTMA1
Številka naročila3582465
Nabor izdelkovCoolSiC Trench Series
Znano tudi kotIMBG120R140M1H, SP004463792
tehnični podatkovni list
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.189ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation107W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
IMBG120R140M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical applications include drives, infrastructure – charger, energy generation solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies-industrial UPS.
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance <gt/> 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Efficiency improvement, enabling higher frequency and increased power density
- Cooling effort reduction and reduction of system complexity and cost
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
0.189ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
107W
Product Range
CoolSiC Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (1)
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 4
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001588
Sledenje izdelku