Natisni stran
IMBG120R030M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIMBG120R030M1HXTMA1
Številka naročila3582461
Nabor izdelkovCoolSiC Series
Znano tudi kotIMBG120R030M1H, SP004463784
tehnični podatkovni list
1039 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 14,100 |
| 5+ | € 12,200 |
| 10+ | € 10,290 |
| 50+ | € 9,080 |
| 100+ | € 7,870 |
| 250+ | € 7,710 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 14,10 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIMBG120R030M1HXTMA1
Številka naročila3582461
Nabor izdelkovCoolSiC Series
Znano tudi kotIMBG120R030M1H, SP004463784
tehnični podatkovni list
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
IMBG120R030M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical application includes drives, infrastructure – charger, energy generation - solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies - industrial UPS.
- DC drain current is 56A, drain-source on-state resistance is 30mohm(VGS = 18V, ID = 25A, Tvj = 25°C)
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance greater than 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Available in 7 pin TO-263 package
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
56A
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
300W
Product Range
CoolSiC Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (1)
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 4
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001959
Sledenje izdelku