Natisni stran
IGT65R025D2XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIGT65R025D2XTMA1
Številka naročila4640393RL
tehnični podatkovni list
1500 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 10+ | € 12,530 |
| 50+ | € 11,280 |
| 100+ | € 10,480 |
| 250+ | € 10,270 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 10
Več: 1
€ 130,30 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIGT65R025D2XTMA1
Številka naročila4640393RL
tehnični podatkovni list
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Typical Gate Charge11nC
No. of Pins8Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
70A
Typical Gate Charge
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00001
Sledenje izdelku