Natisni stran
IGOT60R070D1AUMA3
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Surface Mount
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIGOT60R070D1AUMA3
Številka naročila3775931RL
Nabor izdelkovCoolGaN
Znano tudi kotSP005557207, IGOT60R070D1
tehnični podatkovni list
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
On Resistance Rds(on) Max0.07ohm
Typical Gate Charge5.8nC
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins20Pins
Product RangeCoolGaN
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternative za IGOT60R070D1AUMA3
1 najden izdelek
Tehnični podatki
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Typical Gate Charge
5.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
31A
On Resistance Rds(on) Max
0.07ohm
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
20Pins
Qualification
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaIndonesia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaIndonesia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.003591