Natisni stran
IGLD60R190D1AUMA3
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Surface Mount
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIGLD60R190D1AUMA3
Številka naročila3775954
Nabor izdelkovCoolGaN
Znano tudi kotSP005557217, IGLD60R190D1
tehnični podatkovni list
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Typical Gate Charge3.2nC
Transistor Case StyleLSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternative za IGLD60R190D1AUMA3
1 najden izdelek
Tehnični podatki
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
LSON
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
10A
Typical Gate Charge
3.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0001