Natisni stran
IGC037S12S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIGC037S12S1XTMA1
Številka naročila4680817RL
Znano tudi kotIGC037S12S1, SP006027453
tehnični podatkovni list
Možnosti pakiranja
4980 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 2,430 |
| 500+ | € 2,040 |
| 1000+ | € 1,740 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 243,00 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIGC037S12S1XTMA1
Številka naročila4680817RL
Znano tudi kotIGC037S12S1, SP006027453
tehnični podatkovni list
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id71A
Drain Source On State Resistance0.0037ohm
Typical Gate Charge10nC
No. of Pins6Pins
Tehnični podatki
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.0037ohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
71A
Typical Gate Charge
10nC
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00001