Natisni stran
IGC025S08S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIGC025S08S1XTMA1
Številka naročila4680816RL
Znano tudi kotIGC025S08S1, SP006027447
tehnični podatkovni list
5000 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 2,390 |
| 500+ | € 2,000 |
| 1000+ | € 1,710 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 150
Več: 1
€ 358,50 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIGC025S08S1XTMA1
Številka naročila4680816RL
Znano tudi kotIGC025S08S1, SP006027447
tehnični podatkovni list
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id86A
Drain Source On State Resistance0.0025ohm
Typical Gate Charge12nC
No. of Pins6Pins
Tehnični podatki
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0025ohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
86A
Typical Gate Charge
12nC
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00001