Natisni stran
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaFF450R12KE4EHOSA1
Številka naročila2781230
Nabor izdelkovStandard 62mm C
Znano tudi kotFF450R12KE4_E, SP001186148
tehnični podatkovni list
5 Na Zalogi
10 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
Količina | |
---|---|
1+ | € 131,210 |
5+ | € 123,190 |
10+ | € 115,160 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 131,21 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaFF450R12KE4EHOSA1
Številka naročila2781230
Nabor izdelkovStandard 62mm C
Znano tudi kotFF450R12KE4_E, SP001186148
tehnični podatkovni list
IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current520A
Continuous Collector Current520A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd2.4kW
Power Dissipation2.4kW
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeStandard 62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode suitable for use in high frequency switching application, high power converters, solar applications and UPS systems.
- Increased DC link voltage
- Trench IGBT 4
- 4KV AC1 min insulation
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- Isolated base plate
- Copper base plate
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
IGBT Configuration
Dual, Common Emitter
DC Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
2.4kW
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
Standard 62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
2.4kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (3)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaHungary
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaHungary
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.015
Sledenje izdelku