Natisni stran
FF200R17KE3HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module
37 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 138,130 |
| 5+ | € 131,470 |
| 10+ | € 124,810 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 138,13 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaFF200R17KE3HOSA1
Številka naročila2726125
Nabor izdelkov62mm C
Znano tudi kotFF200R17KE3, SP000100775
tehnični podatkovni list
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current310A
Continuous Collector Current310A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Power Dissipation Pd1.25kW
Power Dissipation1.25kW
Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
- 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT³ and Emitter Controlled³ diode
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
310A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation Pd
1.25kW
Junction Temperature Tj Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
310A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaHungary
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaHungary
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000337
Sledenje izdelku